半導體材料的霍爾效應測試

半導體材料的霍爾效應是表征和分析半導體材料的重要手段，可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號判斷材料的導電類型。霍爾效應本質(zhì)上是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉，當帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負電荷的聚積，形成附加的橫向電場。

根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能;通過霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布;測量低溫霍爾效應可以確定雜質(zhì)補償度。與其他測試不同的是霍爾參數(shù)測試中測試點多、連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環(huán)境等特點。

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